رم دسکتاپ DDR5 سامسونگ 4800MHz مدل Samsung NON-ECC OEM ظرفیت 16 گیگابایت
Samsung
رم دسکتاپ DDR5 سامسونگ 4800MHz مدل Samsung NON-ECC OEM ظرفیت 16 گیگابایت
Samsung M323R2GA3BB0-CQKO UDIMM 4800MHz 16GB DDR5 NON-ECC OEM Desktop Ram
گارانتی : ام آی تی(MIT) | 18 ماهه
رنگ : سبز
قیمت : 3,300,000تومان
تعداد : 1
ویژگی های اصلی
  • مدل تجاری: M323R2GA3BB0-CQKO
  • ظرفیت: 16 گیگابایت
  • تکنولوژی ساخت: DDR5
  • فرکانس: 4800MHz
توضیحات بیشتر

نقد و بررسی تخصصی رم M323R2GA3BB0-CQKOSamsung DDR5 16GB 4800MHz(1Rx8)UDIM OEM

 

ماژول‌های رم سامسونگ برای طیف وسیعی از برنامه‌ها طراحی شده‌اند تا بهترین عملکرد را با کم ترین مقدار انرژی ارائه دهند. رم M323R2GA3BB0 طراحی شده برای کمک به عملکرد سریعتر و روانتر سیستم شما است که، یکی از ساده ترین و مقرون به صرفه ترین راه ها برای بهبود عملکرد سیستم می توان انتخاب کرد. بارگیری سریع برنامه ها، افزایش پاسخگویی، اجرای آسان برنامه های فشرده و قابلیت های چندوظیفه ای دسکتاپ خود را افزایش دهید

نقد و بررسی تخصصی رم M323R2GA3BB0-CQKOSamsung DDR5 16GB 4800MHz(1Rx8)UDIM OEM

 

ویژگی های تخصصی رم M323R2GA3BB0-CQKOSamsung DDR5 16GB 4800MHz(1Rx8)UDIM OEM

 

تکنولوژی ODECC (on-die error-correction code) به کار رفته در DDR5 به افزایش سطح امنیت و پایداری داده ها کمک می کند. ODECC امکان رفع خطا حتی در یک بیت را دارد؛ یعنی حتی یک بیت داده بدون بررسی و رفع خطا از ماژول خارج نمی گردد.

ویژگی های تخصصی رم M323R2GA3BB0-CQKOSamsung DDR5 16GB 4800MHz(1Rx8)UDIM OEM

ظرفیت و پیکربندی رم M323R2GA3BB0-CQKOSamsung DDR5 16GB 4800MHz(1Rx8)UDIM OEM

فرآیند کلاس 10 نانومتری سامسونگ و فناوری EUV واحدهای تراشه را قادر می‌سازد از 16 گیگابایت به 32 گیگابایت جهش کنند. دوبرابر شدن ظرفیت تراشه به این معنی است که یک ماژول می تواند تا 512 گیگابایت را فراهم کند تا به صورت روان بارهای کاری همزمان عظیم را با مقیاس پذیری برای نوآوری های آینده مدیریت کند.

 

سرعت و زمان بندی تاخیر رم M323R2GA3BB0-CQKOSamsung DDR5 16GB 4800MHz(1Rx8)UDIM OEM

 

با سرعت انتقال استثنایی تا 4800 مگابیت در ثانیه، DDR5 به طور موثر نیازهای روزافزون حجم کاری داده های بزرگتر و پیچیده تر را برطرف می کند. DDR5 بیش از دو برابر افزایش عملکرد را در مقایسه با DDR4 به ارمغان می‌آورد، با دوبرابرشدن burst length از 8 به 16، و دو برابر کردن بانک‌ها از 16 به 32. عملکرد شگفت‌انگیز سقف پردازش کلان داده را افزایش می‌دهد.

برای اینکه بفهمید burst length به چه معناست، باید بدانید که چگونه به حافظه دسترسی دارید. هنگامی که CPU یا cache درخواست داده جدید می کند، آدرس به ماژول حافظه و سپس بانک حافظه هدف حاوی ردیف مورد نیاز ارسال می شود و پس از آن در ستون قرار می گیرد. سپس کل ستون در گذرگاه حافظه ارسال می شود. برای DDR4، هر burst 4 به 8 قابل تبدیل بود و درسری جدید رم‌ها DDR5، 8 به 16 burst افزایش یافته است.

سرعت و زمان بندی تاخیر رم M323R2GA3BB0-CQKOSamsung DDR5 16GB 4800MHz(1Rx8)UDIM OEM

سایر امکانات و ویژگی های رم M323R2GA3BB0-CQKOSamsung DDR5 16GB 4800MHz(1Rx8)UDIM OEM

 

DDR5 از طریق بهبود عملکرد و کاهش توان، 30 درصد بازده انرژی بیشتری نسبت به DDR4 بدست می‌آورد. جایگزینی DDR4 مرکز داده با DDR5 باعث صرفه جویی در مصرف برق سالانه تا 1TWh می شود. روی DIMM PMIC کارایی مدیریت انرژی و پایداری منبع تغذیه را بیشتر افزایش می دهد. این یک انتخاب پایدار همه جانبه برای محیط زیست ما است.

 

نقاط قوت و ضعف رم M323R2GA3BB0-CQKOSamsung DDR5 16GB 4800MHz(1Rx8)UDIM OEM

نقاط قوت

  • سرعت عملکرد بالا
  • پهنای باند بیشتر
  • پشتیبانی از و فناوری EUV

نقاط ضعف

  • قیمت به نسبت بالا

 

مشخصات فنی
  • نوع ماژول : UDIMM
  • ظرفیت : 16 گیگابایت
  • تکنولوژی ساخت : DDR5
  • فرکانس : 4800 مگاهرتز
  • زمان تاخیر : CL40
  • ولتاژ : 1.1V
  • تعداد پین : 184 پین
  • پخش کننده حرارت (هیت سینک) : ندارد
  • نورپردازی LED : ندارد
  • تعداد ماژول : یک عدد
  • ماژول اضافه : ندارد
سازگاری
  • قابلیت ECC : ندارد

محصولات مشابه

لطفا صبر کنید...