اخبار

حافظه V-NAND نسل ششم سامسونگ با حدود ۱۳۶ لایه

حافظه V-NAND نسل ششم سامسونگ با حدود 136 لایه

حافظه V-NAND نسل ششم سامسونگ با حدود ۱

 تا ظرفیت و دانسیته ان را بهبود بخشد . شرکت با هدف ساخت V-NANDبا بیش از صد لایه قابل دسترسی از نقطه نظر عملکرد از فناوری مدار جدید استفاده کرده است . حافظه جدید به طور شاخص ده درصد نهفتگی کمتر  دارد و ۱۵ درصد برق کمتر در مقایسه با V-NAND نسل قبلی سامسونگ مصرف می کند .

حافظه V-NAND نسل ششم سامسونگ با حدود 136 لایه

حافظه V-NAND نسل ششم سامسونگ با حدود ۱۳۶ لایه

V-NAND نسل ششم سامسونگ دارای حدود ۱۳۶ لایه  و همچنین سلول های CTF می باشد . حافظه جدید از یک پشته استفاده می کند و ازفناوری هایی نظیر پشته سازی نواری برای ساخت بیش از ۱۰۰ لایه بهره نمی برد. شرکت سامسونگ با هدف تضمین حداقل خطا ها و نهفتگی های کم از طراحی مدار بهینه شده سریع استفاده کرده است . این طراحی باعث تقویت تراشه های ۲۵۶ گیگا بیتی سه بعدی برای ارایه نهفتگی زیر ۴۵۰ میکرو ثانیه برای عملیات های رایت و زیر ۴۵ میکرو ثانیه برای عملیات های رایت می گردد که در هنگام مقایسه با V-NAND نسل پنجم حدود ده درصد سریع تر است . در واقع جدید ترین V-NAND دارای مصرف برق کمتر نسبت به نمونه های قبلی اش می باشد .

این موضوع اهمیت دارد که دستگاه های جدید ۲۵۶ گیگا بیتی صد و سی شش لایه V-NAND از ۶۷۰ میلیون حفره استفاده می کنند که در نسل قبلی این مقدار ۹۳۰ میلیون حفره بوده است و این بدان معنی است که تراشه های جدید به گام های فرایندی جدید تر نیاز دارند و ساخت انها ساده تراست . آنچه مهم است در واقع این است که شرکت سامسونگ در نظر دارد تا از معماری ۱۳۶ لایه خودش با طراحی مدار بهینه شده سرعت برای ساخت دستگاه های V-NAND با بیش از ۳۰۰ لایه با نصب سه دسته فعلی در بالای همدیگر استفاده نماید .

سامسونگ در ابتدا دستگاه های V-NAND صد و سی و شش لایه TLC سه بعدی ۲۵۶ گیگا بیتی را پیشنهاد خواهد داد که در ابتدا برای اس اس دی های ۲۵۰ گیگا بیتی سامسونگ استفاده خواهند شد . سامسونگ تمایل دارد تا اخر سال جاری دستگاه های V-NAND صد و سی شش لایه ۵۱۲ گیگا بیتی را منتشر نماید که برای درایو های دیگر و همچنین راه حل های ذخیره سازی Eufs بکار گرفته خواهد شد .

در هنگام صحبت در مورد اس اس دی V-NANDنسل ششم ۲۵۶ گیگا بیتی باید به این موضوع اشاره کرد که این درایو از کنترلر جدید سامسونگ با نشانه S4LR030/S94G4MW2 استفاده می کند .

آقای کای هیون کونگ از مدیران بخش توسعه محصولات دیجیتالی سامسونگ گفت: سامسونگ با تکیه بر فناوری ۳D، به سرعت و زمان مقرر فناوری‌های جدید را معرفی کرده و با هر تکنیک جدید، شاهد افزایش راندمان و بالا رفتن ظرفیت در ابعاد کمتر هستیم. با چرخه سریعتر توسعه حافظه‌های V-NAND، به زودی شاهد مدل‌های ۵۱۲ گیگابیتی در بازار خواهیم بود. مدل‌های ۵۱۲ گیگابیتی V-NAND تا پایان سال جاری میلادی، به بازار رقابت افزوده خواهند شد.

نسل ششم تراشه‌های Samsung V-NAND دارای سریع‌ترین نرخ انتقال داده در بین تراشه‌های مشابه در جهان است. تنها در یک پشته (Die) سه بعدی، بیش از ۱۰۰ لایه بر روی یکدیگر قرار گرفته‌اند. تراشه‌های جدید با استفاده از تکنولوژی Channel Hole Etching تا ۴۰ درصد سلول‌های بیشتری را به هر استک اضافه خواهند کرد. سامسونگ اعلام کرده است که تراشه‌های ۱۳۶ لایه V-NAND را به صورت اختصاصی در محصولات خود استفاده کرده و یا آنها را به سازندگان SSD عرضه می‌کند.

در تراشه‌های ۱۳۶ لایه سامسونگ، تراشه‌های V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابیت و سه بیتی تولید شده و نخستین دستاورد این فناوری تولید SSDهای مبتنی بر گذرگاه SATA است. اولین مدل‌ها با ظرفیت ۲۵۰ گیگابایت تولید شده و به نظر می‌رسد که شامل مدل‌های ۲.۵ اینچی هستند که در انواع لپ تاپ و کامپیوترها مورد استفاده قرار خواهند گرفت.

سامسونگ الکترونیک، غول فناوری کره جنوبی، امروز به صورت رسمی نسل ششم از تراشه‌های ۳D V-NAND خود را معرفی کرد. این تراشه‌ها چیزی فراتر از تراشه‌های ۹۶ لایه، با ۱۳۶ لایه طراحی شده‌اند. این شرکت از فناوری تراشه‌های ۱۳۶ لایه خود در راستای تولید SSD و حافظه‌های eUFS استفاده خواهد کرد.

نوشته های مرتبط

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *