اخبار

اس اس دی ۵۰۰ گیگابیتی EX900 M.2 اچ پی

اس اس دی 500 گیگابیتی EX900 M.2 اچ پی

اس اس دی ۵۰۰ گیگابیتی EX900 M.2 اچ پی

سری جدید EX900 اچ پی در این بازنگری مورد بررسی قرار می گیرد و این مدل ۵۰۰ گیگا بیتی EX900 دارای سرعت خواندن متوالی برآورد شده حدود ۲۱۰۰ مگا بیت بر ثانیه و سرعت رایت متوالی حدود ۱۵۰۰ مگا بیت بر ثانیه می باشد . اغلب این اس اس دی در تست ما بالاتر از این سرعت ها بوده است .

اس اس دی 500 گیگابیتی EX900 M.2 اچ پی

اس اس دی ۵۰۰ گیگابیتی EX900 M.2 اچ پی

مشخصه های این درایو عالی هستند ولی آیا این درایو آنچه را ادعا می کند عرضه می کند ؟ M.2 یک مولفه شکل جالب می باشد و این واحد های ذخیره ساز کوچک با سرعت دوبرابری ، سه برابری ، چهار برابری ، پنج برابری ، شش برابری و شاید حتی هشت برابر عملکرد اس اس دی های معمولی در حال عرضه می باشند . این درایو در پکیج متفاوت M.2 عرضه می شود . این اس اس دی که از واسط لاین های PCIe بهره می برد بسیار قدرتمند تر است چون می تواند به روش با پهنای باند بیشتر با استفاده از لاین های PCI-Express می پردازد .

راه حل های M.2 به همین نحو برای مادربورد ها و لپ تاپ های با فناوری بسیار پیشرفته مورد نظر هستند . اس اس دی های M.2 سری EX920 را می توان سری های سریع فناوری ذخیره ساز به حساب اورد چون دارای عملکرد بسیار عالی هستند و وقتی شما به محصول نگاه می کنید دارای سرعت خواندن  سه گیگا بیت بر ثانیه و رایت نزدیک به دو گیگا بیت بر ثانیه می باشید . سیستم های جدید M.2 از پروتکل NVMe استفاده می کنند و این فناوری ذخیره ساز با سرعت های بسیار سریع فالکون هزاره سوم می باشد در حالی که از نظر قیمت رقابتی محسوب می گردد .

  • حداکثر سرعت خواندن متوالی : حدود ۲۱۰۰ مگا بیت بر ثانیه
  • حداکثر سرعت رایت متوالی : حدود ۱۵۰۰ مگا بیت بر ثانیه
  • خواندن تصادفی ۴کیلو بیت : حدود ۱۰۰۰۰۰ IOPS
  • رایت تصادفی ۴کیلو بیتی : حدود ۸۰۰۰۰ IOPS
  • دوام حدود ۲۰۰ TBW(مدل ۵۰۰ گیگا بیتی )

در حالی که ثبات و ایمنی داده شما به اولویت درجه یک تولید کنندگان تبدیل شده اند ، فناوری با یک گام سریع در حال پیشرفت است . شما بین ۴۵۰ تا ۵۰۰ مگا بیت بر ثانیه در SATA3 دست یافته اید که یک معیار برای اس اس دی مبتنی بر کنترلر تکی می باشد . اکنون در زمان حال مولفه شکل PCIe M.2 از طریق ترکیب کنترلر فلش NAND پیشرفته با واسط PCIe Gen3x4 NVM3 1.3 و سه بعدی به سرعت خواندن متوالی حدود ۳۲۰۰ مگا بیت بر ثانیه و سرعت رایت متوالی حدود ۱۵۰۰ مگا بیت بر ثانیه دست می یابد . اس اس دی ۶۴ گیگا بیتی حدود دو دهه قبل یک مدل بسیار عالی بوده است سپس ما به کندی به سمت مدل ۱۲۹ گیگا بیتی و سال قبل ۲۴۰ گیگا بیتی برای اس اس دی در پی سی حرکت کرده بودیم که یک معیار بود و سال آینده به کندی به ۵۰۰ گیگا بیت در هر اس اس دی دست یافته ایم که با قیمت های ۲۰۰ دلار آمریکا یک عدد متعارف بوده است .  این درایو با طراحی مصرف برق کم در میان سریع ترین اس اس دی های اصلی قرار داشت که ما تاکنون تست کرده بودیم .

اس اس دی از نوع مولفه شکل NVMe M.2 است و با TLC NAND جدید که دارای پشته سازی عمودی می باشد ، سازگاری داشته است . عملکرد اس اس دی عالی است ولی با این این اس اس دی های NVMe می توانید عملکرد را حتی سه برابر تا چهار برابر افزایش دهید که نتایج بسیار جدی است . سیستم از مولفه شکل کوچک تر M.2 2280 تبعیت می کند از این رو با اکثر مادربورد های ATX سازگاری خواهد داشت . نتایج IOPS برای خواندن و رایت به ترتیب به شاخص ۱۲۵K و ۱۱۰K می رسند ( به اندازه حجم بستگی دارد ) . اس اس دی های با مولفه شکل M.2 با یک دهم اندازه اس اس دی سنتی دو و نیم اینچی برای کاربرانی ایده آل هستند که به دسکتاپ یا پی سی های بسیار باز که  با وسیله ذخیره ساز عملکرد عالی و ظرفیت بالا به روز نگاه می کنند . شما به مادربورد مدرن با NVMe با پشتیبانی واسط M.2 نیاز دارند .

مشخصه ها و ویژگی ها

اکنون شرکت اچ پی سه نسخه با ظرفیت های ۱۲۰ ، ۲۵۰ و ۵۰۰ گیگابیتی از مدل EX900 را پیشنهاد می دهد . مدل ۵۰۰ گیگا بیتی که برای دوام درایو تست شده بود تا ۲۰۰ TBW براورد شده است . نمونه ای که به تست رسیده بود در واقع نسخه ۵۰۰ گیگا بیتی درایو می باشد . سری EX900 با فلش مموری NAND سه بعدی رایت شده TLC جور در خواهد امد . ارایه ظرفیت های مناسب بواسطه این ویژگی برای شرکت اچ پی مهیاء می گردد و مدل های EX900با تراشه های حافظه نهان افزوده شده DRAM و کنترلر با برند اختصاصی اچ پی عرضه می گردند .

مشخصه ها

مشخصه ها اس اس دی EX900 M.2 اچ پی
۱۲۰ گیگا بیتی ۲۵۰ گیگا بیتی ۵۰۰ گیگا بیتی
واسط / پروتکل
اس اس دی EX900 M.2 2280 PCIe Gen 3 x4 NVMe 1.3 PCIe Gen 3 x4 NVMe 1.3 PCIe Gen 3 x4 NVMe 1.3
عملکرد ( چهار کیلو بیت / عمق صف ۳۲
حداکثر خواندن متوالی (مگا بیت برثانیه ) ۱۹۰۰ ۲۱۰۰ ۲۱۰۰
حداکثر رایت متوالی (مگا بیت بر ثانیه ) ۶۵۰ ۱۳۰۰ ۱۵۰۰
حداکثر خواندن تصادفی (IOPS) ۱۰۰K ۱۲۵K ۱۰۰K
حداکثر رایت تصادفی (IOPS) ۸۰K ۱۱۰K ۸۰K
مصرف برق
مصرف برق (فعال ) وات ۲.۴۶ ۲.۹۹ ۳.۵۲
مصرف برق (بیکاری) وات ۰.۶۸ ۰.۶۸ ۰.۶۸
قابلیت اطمینان
MTBF حدود دو ساعت
محیطی
دمای غیر عملیاتی ۴۰- تا ۸۵ درجه
دمای عملیاتی صفرتا ۷۰ درجه سانتی گراد
حداکثر مقاومت شوک ۱۱۰ جی / ۶ میلی ثانیه
حداکثر مقاومت لرزش ۳.۱ RMS
ابعاد فیزیکی ۸۰ در ۲۲ در ۲.۴ میلی متر
وزن ۵.۴ گرم

از این رو NAND سه بعدی بجای استفاده از NAND مسطح استفاده می گردد . TLC NAND سه بعدی از نوع پشته سازی سلول NAND عمودی فیزیکی می باشد که با پشته سازی تراشه در پکیج چند تراشه اشتباه گرفته نمی شود . لایه های NAND در NAND سه بعدی در IC تکی پشته سازی نمی شوند . اخبار مناسب در زمینه کاهش هزینه ، اندازه قالب کوچک تر و ظرفیت بیشتر در هر تراشه NAND ادامه می یابد . همچنین مجموعه های ابزار نصب شده NAND در فاب های ویفر از نوع استفاده شده است . آی سی های NAND با کنترلر H8068  اچ پی استفاده می شوند و در اینجا حافظه نهان DRAM یافت نمی شود .

کنترلر با بافر حافظه هاست

اس اس دی سری EX900 M.2 اچ پی از کنترلر PCIe تا NAND با عملکرد بالا  و مقرون به صرفه استفاده می کند تا بر پهنای باند PCIe  نسل سوم کامل با هاست مدیریت نماید در حالی که دستگاه های فلش مموری فلش NAND چندگانه را در چهار کانال اداره می کند . اساسا کنترلر با برند سازی مجدد سیلیکون موشن می باشد . هر اس اس دی با SM2263XT  جدید یک درایو با DRAM کمتر است و این وضعیت به کاهش هزینه برای اس اس دی ها در سال ۲۰۱۸ کمک کرده بود . اس اس دی ۵۰۰ گیگا بیتی از ۵۰۰ مگا بیت حافظه سیستم اتان استفاده خواهد برد و اگر اس اس دی یک ترابیتی در دسترس خواهد بود ، شما بدنبال یک گیگا بیت بافر حافظه هاست خواهید بود ( که همچنین حداکثر کنترلر مورد استفاده شما می باشد ) .

 قیمت گذاری

شرکت اچ پی قادر است تا قیمت ها را پایین نگه دارد. از این رو این اس اس دی ۵۰۰ گیگا بیتی در آسیا با قیمت تقریبی ۱۴۹ دلار عرضه شده است که سی سنت در هر گیگا بیت برای یک اس اس دی است که عملکرد بسیار خیره کننده دارد . ما مطمئن هستیم که این دستگاه ها را می توانید خیلی زود در سایت آمازون و نیو اگ بیابید .

از اینرو NVme چیست ؟

NVMe نیز به عنوان  مشخصه واسط کنترلر هاست غیر فرار یا NVMe شناخته شده است . ایده ای که برای NVMe در اذهان تصور می گردد این است تا از طریق بهینه سازی روش دسترسی یک اپلیکیشن به سیستم فلش بتوان دسته ذخیره ساز را بهبود بخشید . NVMe از طریق حذف مولفه های درون مسیرI/O  نظیر مسیر کنترلر قدیمی RAID می تواند گوشه ها را حذف نماید . NVMe از PCIe به عنوان رسانه جابجایی استفاده ابزاری می کند که دارای پهنای باند بالا و مسیر مستقیم به سی پی یو هاست و حافظه می باشد . در عوض ، NVMe یک گلوگاه بالقوه دیگر را رفع می کند که محدودیت پهنای باند SAS یا جدید ترین اتصال SATA3 می باشد . NVMe از لاین های PCIe شما استفاده می کند و همانطور که می دانید جدید ترین لاین های PCIe نسل سوم سریع هستند و از این رو مشکل SATA را برطرف کرده بود . پهنای باند در دسترس با کارت های افزودنی نصب شده از ۵۰۰ مگا بیت در ثانیه در هر لاینه به یک گیگا بیت در ثانیه در لاین با جابجایی از PCIe نسل دوم به سوم دو برابر می شود . از این رو اسلات نسل سوم PCIe x16 قادر به عرضه ۱۶گیگا بیت بر ثانیه پهنای باند در هر مسیر می باشد . این عدد در مجموع به پهنای باند ۳۲ گیگا بیت در ثانیه در هر دو مسیر می رسد . در نتیجه واضح است که شما باید از سخت افزار سازگار با نسل سوم استفاده کنید .

پهنای باند PCIe در هر لاین :

  • PCI-Express 1.1 به میزان ۲۵۰ مگا بیت بر ثانیه در هر مسیر ارسال می کند
  • PCI-Express 2 به میزان ۵۰۰ مگا بیت بر ثانیه در هر مسیر ارسال می کند
  • PCI-Express 3 به میزان یک گیگا بیت بر ثانیه در هر لاینه ارسال می کند

بنابراین سیستم های NVMe M.2 از هر آنچیزی  استفاده می کنند که آنها برای اکثر مادربورد ها مقرر می کنند و اکنون دستگاه ها به لینک x4 می توانند وصل شوند از این رو لینک نسل سوم شما می تواند پهنای باند کل ۸ گیگا بیت بر ثانیه را در حالت PCIe Gen 3.0 هندل نماید نظر به این که اسلات نسل قدیمی ۱.۰ x16 قادر به جابجایی دو گیگا بیت بر ثانیه خواهد بود . آن پهنای باند ترکیب شده با NAND سریع و کنترلر عالی می تواند سرعت های ذخیره ساز حجیم را توجیه نماید .

نوشته های مرتبط

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *