اس اس دی مدل 850 EVO  سامسونگ (قسمت دوم)

این اس اس دی با فناوری سه بعدی V NAND قدرتمند می گردد و تجربیات روزانه محاسبه را به حداکثر می رساند . درایو حالت جامد از نوعی است که کامپیوتر شما را به یک سیستم سریع و قدرتمند تبدیل می کند . انتقال حجم زیاد داده در عرض چند ثانیه در حالی که با عمر باتری طولانی کار می کند . بهترین بخش این درایو چیست ؟ پاسخ می تواند این باشد که خیلی بیشتر از مدل های قبلی اش دوام می آورد .

اس اس دی مدل 850 EVO  سامسونگ

اس اس دی مدل 850 EVO  سامسونگ

افزایش عملکرد برای استفاده روزانه

دستیابی به عملکرد بالاتر اس اس دی  کالیبره و دوام بالا با فناوری V-NAND

اگر شما در جستجو نواوری بزرگ آینده در عملکرد درایو حالت جامد هستید و در مورد قابلیت اطمینان نگرانی دارید ، دیگر به درایو حالت جلمد 850 EVO سامسونگ توجه نکنید . مدل 850 EVO   با تقویت درایو حالت جامد سه بعدی اولیه جهانی V-NAND یک نوع محاسبه کالیبره حرفه ای را برای مصرف کننده نهایی به ارمغان می آورد و در کار روزانه به شما عملکرد عالی می دهد. خواه شما یک بازیگر کامپیوتری مشتاق یا جستجو گر اینترنتی باشید یا خیر ، متوجه خواهید 850 EVO دارای بالاترین سرعت ها می باشد . همچنین مدل 850 EVO به شما یک دوام و قابلیت اطمینان بی نظیر می دهد تا هر وظیفه ای که شما محول شده است را انجام دهید . این درایو مدیریت برق کارامد تر نسبت به آنچه تصور می کردید داشته است .

کشف مزیت های فناوری سه بعدی V-NAND  

رازی که در ورای فناوری سه بعدی V-NAND نهفته است در واقع شامل سه نواوری مهم می باشد که عبارتند از : مواد ، ساختار و یکپارچگی که به ظرفیت بیشتر ، دوام برجسته و بهروره انرژی عالی منجر می شوند .

معماری عمودی باعث می شود تا سلول های حافظه بیشتری در تراشه NAND با فضای کمتری برای ظرفیت بسیار بالا متناسب گردند که به کیفیت داده بالاتر منجر خواهد شد . تداخل سلول به سلول به طور ظاهری حذف می گردد و اجازه می دهد تا داده بسیار سریع تر برای عملکرد بهتر رایت گردد . استفاده از عایق ها غیر رسانا که استرس کمتری را تجربه می کنند و در برابر سایش مقاوم تر هستند به حفظ یکپارچگی سلول و جلوگیری از تخریب داده برای دوام بیشتر کمک می کند . کل این موضوعات با مصرف برق بسیار کمتر بدست می آید که شما در واقع انتظار خواهید کشید تا به میزان 50 درصد صرفه جویی در قدرت رایت فعال باشد .

ارتقای سرعت پی سی با مشخصه های ارتقای عملکرد

عملکرد بهینه برای استفاده در رایانش روزانه توسط درایو 850 EVO مهیاء می گردد و در مقایسه با نوع قبلی اش دارای بیش از ده درصد افزایش تجربه کاربر می باشد . درایو 850 EVO که به فناوری توربو رایت مجهز شده است دارای سرعت های رایت تصادفی سریع به میزان 1.9 برابر سرعت درایو 840 EVO در مدل های 120یا 250 گیگا بیتی می باشد . فناوری توربرو رایت باعث شتاب در سرعت های رایت از طریق خلق بافر رایت عملکرد بالا در SSD می گردد . اولا ، داده  در سرعت های شتاب دار به بافر با عملکرد عالی منتقل می گردد . سپس ، وقتی عملیات رایت فراتر از اندازه بافر در طول عملیات های بیهوده باشد ، داده از بافر به منطقه ذخیره اولیه درایو حالت جامد در سرعت های ” بعد از توربو رایت ” حرکت می کند . اندازه بافر برای استفاده روزانه پی سی بهینه می گردد و معمولا سرعت های شتابدار توربو رایت ارایه می کند .

اگر شما نیاز دراید تا همانند ماشین به یک دنده بالا تر بروید ، حالت RAPID این کار را برای شما انجام می دهد . نرم افزار Magician به شما این توانایی را می دهد تا در زمانی که از طریق پردازش داده در سطح سیستم اتان با استفاده از حافظه پی سی آزاد به عنوان حافظه نهان به وضعیت RAPID تغییر جهت می دهید دارای عملکرد با سرعت دوبرابری می باشد . حداکثر حافظه در حالت RAPID از یک گیگا بیت در نسخه قبلی به میزان 4 گیگا بیت با مدل 850 EVO در زمان اجرای 16 گیگا بیت RAM برای UX ارتقاء یافته افزایش یافته بود . شما عملکرد بالاتر و پردازش قرمان کارامد تر را بسته به حافظه پی سی اتان تجربه خواهید کرد که بیشتر با وظایف تکراری بهبود می یابد . شما با سرعت های شتابدار می توانید عملکرد رایت تصادفی عمق صف یک را با سطح تقریبا یکسان همانند Q32 تا حد زیادی بهبوئ بخشید و سرعت های بی نهایت سریع دست یابید .

قابلیت اطمینان بدون نگرانی با بهره وری قدرت و امنیت عالی

انتخاب درایو حالت جامد که در هر شرایطی اجراء خواهد شد

وقتی موضوع دوام مطرح می شود ، مدل 850 EVO هیچ نگرانی را نسبت به قبل ایجاد نمی کند . مدل 850 EVO دارای قابلیت اطمینان پیشرفته و عملکرد پایدرا بهبود یافته به میزان 30 درصد بیشتر از مدل قبلی 840 EVO می باشد . فناوری V-NAND سامسونگ برای دوام 150 ترابیت رایت شده تعبیه شده است که این مقدار دو برابر مدل 840 EVOاست . علاوه براین ، مدل 850 EVO با گارانتی محدود 5 ساله سطح عالی صنعت وارد بازار می گردد .

روشن ماندن بدون مصرف توان

سامسونگ بخاطر نوآوری هایش در فناوری های مدیریت قدرت کارامد که به بهره وری بیشتر و طولانی تر کمک می کنند ، معروف است . و مدل 850 EVO یک استثناء نیست و نرخ های مصرف قدرت را در زمان بیکاری به طور اساسی کاهش می دهد . این موضوع با در نظر گرفتن این که درایو های حالت جامد بخش زیادی از زمان اشان را در حالت بیکار مصرف می کنند ، یک مولفه بی نهایت مهم در بهره وری قدرت می باشد . در واقع ، مدل 850 EVO به طور کامل از حالت خواب در Ultrabook پشتیبانی می کند و تنها دو میلی وات برق مصرف می کند . همچنین این مدل عملکرد بالاتر خواهد داشت در حالی که 25 درصد برق کمتر در طول عملیات های رایت نسبت به مدل 840 evo  مصرف می کند . مدیریت قدرت کارامد مدل 850 EVO به دلیل فناوری سه بعدی V-NAND آن می باشد که نصف برق NAND دو بعدی سطحی است .

محافظت از داده های ارزشمند اتان بدون به به خطر افتادن عملکرد

وقتی شما با لپ تاپ سفر می کنید نه تنها به ایمن کردن سخت افزار پی سی اتان نیاز دارید بلکه همچنین داده های شخصی شما نیز باید محافظت گردند . اگر لپ تاپ شما به درایو 850 EVO مجهز گردد می توانید به راحتی استراحت کنید . فناوری درایو خود رمزگذار 850 EVO لپ تاپ شما را ایمن نگه خواهد داشت حتی اگر آن گم شود . درایو شامل موتور رمزگذار دیسک کامل مبتنی بر سخت افزار AES-256  بیتی می باشد که داده هایتان را بدون افت عملکرد ایمن می کند و این با رمزگذاری مبتنی بر نرم افزار تجربه شده بود . فناوری SED از استاندارد های Opalv2.0 گروه رایانش معتمد (TCG) تبعیت می کند ، از ID امنیت فیزیکی محافظت می نماید و با پروتکل 1667 مهندسان برق و الکترونیک موسسه   eDrive مایکروسافت سازگار است . سامسونپ سه مشخصه امنیتی را پیشنهاد می دهد که شما می توانید برای تنظیم نیاز های خاص اتان برگزینید . شما همچنین می توانید داده را با سرویس حذف رمز از طریق سرویس مشتری پاک کنید یا راه اندازی نمایید .

وقتی شما در بازی ویدیویی رقابتی   در کل شیفته کار و مدهوش آن شده ایت در واقع آخرین چیزی که می خواهید داشته باشید در واقع چیزی برای گرم شدن زیاد آن است . مدل 850 EVO اجازه نخواهد داد که این وضعیت به دلیل محافظت سیستم DTG (گارد گرمایی دینامیک ) رخ دهد که بر دمای عملیاتی بهینه درایو نظارت کرده و آن را تنظیم می کند . مشخصه ساسات به طور خودکار دمای درایو حالت جامد را زمانی که به محافظت داده هایتان نیاز است و تضمین پاسخی که شما انتظار دارید ، پایین می آورد . این سیستم باعث خنک شدن پی سی اتان می گردد حتی اگر شما کار زیادی از آن بکشید .

یکپارچگی متنوع و بی نقص ناشی از مدیر ستایش شده در درایو های حالت جامد مصرف کننده

آن چیزی را که سیستم شما جور در می آید تهیه کنید

همه ما دارای دستگاه های مختلف هستیم و بعضی مواقع یک اندازه با همه جور در نمی آید . نگران نباشید . مدل 850 EVO در انواع شکل ها وارد بازار می شود از اینرو شما می توانید یکی از آنها را متناسب با نیاز هایتان تهیه کنید . از بین گونه های مختلف نظیر 2.5 اینچی ، mSATA و M.2 بخاطر یکپارچگی بهینه راحت انتخاب کنید .

  • 850EVO دو نیم اینچی
  • 850 EVO mSATA
  • 850 EVO M.2

کسب یکپارچگی بهینه با مولفه هایی که با همدیگر بدون نقص کار می کنند

فلش مموری NAND ، کنترلر ، DRAM و سفت افزار چهار مولفه حیاتی در هر درایو حالت جامد هستند . و یکپارچگی هر یک از این مولفه ها در طراحی درایو حالت جامد پردوام و با کیفیت بی نهایت مهم است . سامسونگ یکی از چند تولید کننده ای است که به طور واقعی کل چهار مولفه را در شرکت طراحی می کند . سامسونگ در میان شرکت هایی که چنین کاری انجام می دهند ، در زمینه بازار درایو حالت جامد تجربه بسیار زیادی دارد . سامسونگ با دانش هر مولفه و قطعات اش آشنایی دارد . از اینرو ، شرکت می تواند این مولفه ها را در هر مرحله توسعه  به خوبی متناسب سازد تا تضمین نماید آنها بدون نقص با همدیگر کار می کنند . نتیجه کار یک عملکرد عالی با فلش موری 32 لایه V-NAND ، مصرف برق کمتر با حدود یک گیگا بیت حافظه نهان LPDDR2 DRAM . کنترلر و سفت افزار با بهره وری انرژی بهیود یافته می باشد .

مشخصه های فنی

درایو حالت جامد 850 EVO سامسونگ
اپلیکیشن استفادهپی سی های کلاینت
ظرفیت500 گیگا بیت
ابعاد ( طول ، عرض ، ارتفاع )100 در 69.85 در 6.8 میلی متر
واسطSATA شش گیگ بر ثاینه (سازگار با SATA  سه و 1.5 گیگا بیت بر ثانیه )
مولفه شکل2.5 اینچ
کنترلر500 گیگا بیت : کنترلر MGX سامسونگ
فلش موری NANDV-NAND سه بعدی 32 لایه سامسونگ
حافظه نهان DRAM500 گیگا بیت
عملکردخواندن متوالی : حداکثر 540 مگا بیت بر ثانیه
رایت متوالی : حداکثر 520 مگا بیت بر ثانیه
خواندن تصادفی 4کیلو بیت : حداکثر 10000IOPS
رایت تصادفی 4کیلو بیتی : حداکثر40000IOPS
خواندن تصادفی 4کیلو بیتی : حداکثر 98000 IOPS
رایت تصادفی 4کیلو بیت : حداکثر 90000 IOPS
امنیت دادهرمزگذاری دیسک کامل 256 بیتی AES
وزنحداکثر 66 گرم
قابلیت اطمینانMTBF : 1.5 میلیون ساعت
TBW500 گیگا بیت : 150TBW
مصرف برقبیکاری : حداکثر50 مگا وات

خواب دستگاه : 2مگا وات

مشخصه های پشتیبانیTRIM ، S.M.A.R.T
درجه حرارتعملیاتی : 0 تا 70 درجه سانتی گراد

غیر عملیاتی : 40- تا 85 درجه سانتی گراد

رطوبت5تا 95 درصد
ارتعاشغیر عملیاتی ، 20 تا 2000 هرتز
شوکغیر عملیاتی        ،   1500G ، سه محور

مطالب دیگر را بیشتر بخوانید   اس اس دی سری 830 سامسونگ

پاسخی بگذارید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

این فیلد را پر کنید
این فیلد را پر کنید
لطفاً یک نشانی ایمیل معتبر بنویسید.
برای ادامه، شما باید با قوانین موافقت کنید

فهرست